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Microsemi
熱門產品型號
產品參考圖片
APTGT75H60T1G 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:IGBT模塊,SP1
  • 技術參數:POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
  • 豐富的美高森美公司產品,美高森美芯片采購平臺
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APTGT75H60T1G 技術參數詳情:
  • Microsemi美高森美完整型號:APTGT75H60T1G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
  • 系列:-
  • IGBT 類型:溝道和場截止
  • 配置:全橋反相器
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100A
  • 功率 - 最大值:250W
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):1.9V @ 15V,75A
  • 電流 - 集電極截止(最大值):250μA
  • 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):4.62nF @ 25V
  • 輸入:標準
  • NTC 熱敏電阻:是
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP1
  • 供應商器件封裝:SP1
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