- 制造廠商:美高森美
- 類別封裝:IGBT模塊,SP1
- 技術(shù)參數(shù):POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品,美高森美芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
APTGT50TL601G 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Microsemi美高森美完整型號(hào):APTGT50TL601G
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1
- 系列:-
- IGBT 類型:溝道和場截止
- 配置:三級(jí)反相器
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80A
- 功率 - 最大值:176W
- 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):1.9V @ 15V,50A
- 電流 - 集電極截止(最大值):250μA
- 不同 Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):3.15nF @ 25V
- 輸入:標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻:無
- 安裝類型:底座安裝
- 封裝/外殼:SP1
- 供應(yīng)商器件封裝:SP1
- APTGT50TL601G優(yōu)勢(shì)代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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