產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：SP2
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MODULE 600V 80A 176W SP2
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APTGT50H60T2G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：APTGT50H60T2G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT MODULE 600V 80A 176W SP2
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 配置：全橋反相器
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：80A
- 功率-最大值：176W
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，50A
- 電流-集電極截止（最大值）：250μA
- 不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies)：3.15nF @ 25V
- 輸入：標(biāo)準(zhǔn)
- NTC熱敏電阻：是
- 工作溫度：-
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：SP2
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