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APTGT35A120D1G 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:D1
  • 技術參數:IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
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APTGT35A120D1G 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:APTGT35A120D1G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
  • 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態:停產
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 配置:半橋
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):55A
  • 功率-最大值:205W
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,35A
  • 電流-集電極截止(最大值):5mA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies):2.5nF @ 25V
  • 輸入:標準
  • NTC熱敏電阻:無
  • 工作溫度:-
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:D1
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