產品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：IGBT模塊，SP3
- 技術參數：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
- 豐富的美高森美公司產品，美高森美芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
APTGT30H170T3G 技術參數詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APTGT30H170T3G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
- 系列：-
- IGBT 類型：溝道和場截止
- 配置：全橋反相器
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：45A
- 功率 - 最大值：210W
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.4V @ 15V，30A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：250μA
- 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：2.5nF @ 25V
- 輸入：標準
- NTC 熱敏電阻：是
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SP3
- 供應商器件封裝：SP3
- APTGT30H170T3G優勢代理貨源，國內領先的美高森美芯片采購服務平臺。
芯片采購網專注整合國內外授權Microsemi代理的現貨資源，輕松采購IC芯片，是國內專業的芯片采購平臺