產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：SP1
- 技術參數(shù)：MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
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APTC90H12T1G 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：APTC90H12T1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：CoolMOS?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：4 個 N 通道（H 橋）
- FET功能：超級結(jié)
- 漏源電壓（Vdss）：900V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：30A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：120 毫歐 @ 26A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 3mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：270nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：6800pF @ 100V
- 功率-最大值：250W
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：SP1
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