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Microsemi
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APTC80H29T1G 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:SP1
  • 技術參數:MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
  • 豐富的美高森美公司產品,美高森美芯片采購平臺
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APTC80H29T1G 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:APTC80H29T1G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:4 個 N 通道(H 橋)
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):800V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):15A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):290 毫歐 @ 7.5A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):90nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2254pF @ 25V
  • 功率-最大值:156W
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:SP1
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