- 制造廠商:美高森美
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:SP3
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品,美高森美芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
APTC60DDAM70T3G 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:APTC60DDAM70T3G
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- FET類型:2 N-通道(雙)
- FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓(Vdss):600V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):39A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):70 毫歐 @ 39A,10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):259nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):7000pF @ 25V
- 功率-最大值:250W
- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:底座安裝
- 封裝:SP3
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