- 制造廠商:美高森美
- 類別封裝:單路IGBT,T-MAX
- 技術參數:IGBT 650V 208A 892W T-MAX
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APT95GR65B2 技術參數詳情:
- Microsemi美高森美完整型號:APT95GR65B2
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:IGBT 650V 208A 892W T-MAX
- 系列:-
- IGBT 類型:NPT
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):208A
- Current - Collector Pulsed (Icm):400A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.4V @ 15V,95A
- 功率 - 最大值:892W
- Switching Energy:3.12mJ (開), 2.55mJ (關)
- 輸入類型:標準
- Gate Charge:420nC
- 25°C 時 Td(開/關)值:29ns/226ns
- Test Condition:433V, 95A, 4.3 歐姆, 15V
- 反向恢復時間 (trr):-
- 封裝/外殼:TO-247-3
- 安裝類型:通孔
- 供應商器件封裝:T-MAX [B2]
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