- 制造廠商:美高森美
- 類(lèi)別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-264-3,TO-264AA
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 155A 536W TO264
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品,美高森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
APT75GN60B2DQ3G 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):APT75GN60B2DQ3G
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:IGBT 600V 155A 536W TO264
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- IGBT類(lèi)型:-
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):155A
- 電流-集電極脈沖(Icm):225A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,75A
- 功率-最大值:536W
- 開(kāi)關(guān)能量:2500μJ(開(kāi)),2140μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷:485nC
- 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:47ns/385ns
- 測(cè)試條件:400V,75A,1 歐姆,15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
- 工作溫度:-
- 安裝類(lèi)型:通孔
- 封裝:TO-264-3,TO-264AA
- APT75GN60B2DQ3G優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Microsemi代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)