產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-264-3，TO-264AA
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 155A 536W TO264
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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APT75GN60B2DQ3G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：APT75GN60B2DQ3G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 155A 536W TO264
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：155A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：225A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，75A
- 功率-最大值：536W
- 開關(guān)能量：2500μJ（開），2140μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：485nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：47ns/385ns
- 測試條件：400V，75A，1 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：-
- 工作溫度：-
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-264-3，TO-264AA
- APT75GN60B2DQ3G優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺。
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