- 制造廠商:美高森美
- 類別封裝:IGBT模塊,SOT-227
- 技術參數:IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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APT70GR120J 技術參數詳情:
- Microsemi美高森美完整型號:APT70GR120J
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:IGBT 1200V 112A 543W SOT227
- 系列:-
- IGBT 類型:NPT
- 配置:單一
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):112A
- 功率 - 最大值:543W
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):3.2V @ 15V,70A
- 電流 - 集電極截止(最大值):1mA
- 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):7.26nF @ 25V
- 輸入:標準
- NTC 熱敏電阻:無
- 安裝類型:底座安裝
- 封裝/外殼:SOT-227-4
- 供應商器件封裝:SOT-227
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