產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單路IGBT，原廠封裝
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 198A 833W TO264
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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APT65GP60L2DQ2G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APT65GP60L2DQ2G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 198A 833W TO264
- 系列：POWER MOS 7
- IGBT 類型：PT
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：198A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：250A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，65A
- 功率 - 最大值：833W
- Switching Energy：605μJ （開）， 895μJ （關(guān)）
- 輸入類型：標準
- Gate Charge：210nC
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：30ns/90ns
- Test Condition：400V, 65A, 5 歐姆, 15V
- 反向恢復(fù)時間 (trr)：-
- 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA
- 安裝類型：通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：*
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