- 制造廠商:美高森美
- 類別封裝:IGBT模塊,ISOTOP
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 1200V 120A 521W SOT227
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品,美高森美芯片采購平臺(tái)
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APT50GF120JRDQ3 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Microsemi美高森美完整型號(hào):APT50GF120JRDQ3
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:IGBT 1200V 120A 521W SOT227
- 系列:-
- IGBT 類型:NPT
- 配置:?jiǎn)我?/li>
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):120A
- 功率 - 最大值:521W
- 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):3V @ 15V,75A
- 電流 - 集電極截止(最大值):750μA
- 不同 Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):5.32nF @ 25V
- 輸入:標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻:無
- 安裝類型:底座安裝
- 封裝/外殼:ISOTOP
- 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP
- APT50GF120JRDQ3優(yōu)勢(shì)代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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