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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術參數：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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APT45GR65SSCD10 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：APT45GR65SSCD10
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：-
- 零件狀態：停產
- IGBT類型：NPT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：118A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：224A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，45A
- 功率-最大值：543W
- 開關能量：-
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：203nC
- 25°C時Td（開/關）值：15ns/100ns
- 測試條件：433V，45A，4.3 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：80ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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