產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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APT45GR65BSCD10 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：APT45GR65BSCD10
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：NPT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：118A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：224A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，45A
- 功率-最大值：543W
- 開關(guān)能量：-
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：203nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：15ns/100ns
- 測試條件：433V，45A，4.3 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：80ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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