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Microsemi
熱門產品型號
產品參考圖片
APT35GP120B2DQ2G 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:單路IGBT,原廠封裝
  • 技術參數:IGBT 1200V 96A 543W TMAX
  • 豐富的美高森美公司產品,美高森美芯片采購平臺
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APT35GP120B2DQ2G 技術參數詳情:
  • Microsemi美高森美完整型號:APT35GP120B2DQ2G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:IGBT 1200V 96A 543W TMAX
  • 系列:POWER MOS 7
  • IGBT 類型:PT
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):96A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):140A
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):3.9V @ 15V,35A
  • 功率 - 最大值:543W
  • Switching Energy:750μJ (開), 680μJ (關)
  • 輸入類型:標準
  • Gate Charge:150nC
  • 25°C 時 Td(開/關)值:16ns/95ns
  • Test Condition:600V, 35A, 4.3 歐姆, 15V
  • 反向恢復時間 (trr):-
  • 封裝/外殼:TO-247-3 變式
  • 安裝類型:通孔
  • 供應商器件封裝:*
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