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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單端場效應管，T-MAX
- 技術參數：MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
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APT31M100B2 技術參數詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APT31M100B2
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
- 系列：POWER MOS 8?
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：32A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：380 毫歐 @ 16A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：260nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：8500pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1040W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-247-3 變式
- 供應商器件封裝：T-MAX [B2]
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