- 制造廠商:美高森美
- 類別封裝:場效應管模塊,ISOTOP
- 技術參數:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
- 豐富的美高森美公司產品,美高森美芯片采購平臺
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APT30M19JVR 技術參數詳情:
- Microsemi美高森美完整型號:APT30M19JVR
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
- 系列:POWER MOS V
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標準
- 漏源極電壓 (Vdss):300V
- 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):130A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):19 毫歐 @ 500mA,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):975nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):21600pF @ 25V
- 功率 - 最大值:700W
- 安裝類型:底座安裝
- 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
- 供應商器件封裝:ISOTOP
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