- 制造廠商:美高森美
- 類別封裝:單路IGBT,TO-247
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 54A 250W SOT227
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品,美高森美芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
APT30GS60BRDQ2G 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Microsemi美高森美完整型號(hào):APT30GS60BRDQ2G
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:IGBT 600V 54A 250W SOT227
- 系列:Thunderbolt IGBT
- IGBT 類型:NPT
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):54A
- Current - Collector Pulsed (Icm):113A
- 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):3.15V @ 15V,30A
- 功率 - 最大值:250W
- Switching Energy:570μJ (關(guān))
- 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
- Gate Charge:145nC
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:16ns/360ns
- Test Condition:400V, 30A, 9.1 歐姆, 15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):25ns
- 封裝/外殼:TO-247-3
- 安裝類型:通孔
- 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B]
- APT30GS60BRDQ2G優(yōu)勢(shì)代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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