產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 54A 250W TO247
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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APT30GS60BRDLG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：APT30GS60BRDLG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 54A 250W TO247
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：NPT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：54A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：113A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：3.15V @ 15V，30A
- 功率-最大值：250W
- 開關(guān)能量：570μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：145nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：16ns/360ns
- 測試條件：400V，30A，9.1 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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