產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單路IGBT，TO-247
- 技術參數(shù)：IGBT 600V 100A 463W TO247
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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APT30GP60BDQ1G 技術參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APT30GP60BDQ1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 100A 463W TO247
- 系列：POWER MOS 7
- IGBT 類型：PT
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值：463W
- Switching Energy：260μJ （開）， 250μJ （關）
- 輸入類型：標準
- Gate Charge：90nC
- 25°C 時 Td（開/關）值：13ns/55ns
- Test Condition：400V，30A，5 歐姆，15V
- 反向恢復時間 (trr)：-
- 封裝/外殼：TO-247-3
- 安裝類型：通孔
- 供應商器件封裝：TO-247 [B]
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