- 制造廠商:美高森美
- 類別封裝:單端場效應(yīng)管,TO-264
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品,美高森美芯片采購平臺
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APT26F120L 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Microsemi美高森美完整型號:APT26F120L
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264
- 系列:-
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):27A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):650 毫歐 @ 14A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):300nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):9670pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1135W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA
- 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L]
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