
- 制造廠商:美高森美
- 類別封裝:單路IGBT,原廠封裝
- 技術參數:IGBT 600V 283A 682W TO247
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APT200GN60B2G 技術參數詳情:
- Microsemi美高森美完整型號:APT200GN60B2G
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:IGBT 600V 283A 682W TO247
- 系列:-
- IGBT 類型:溝道和場截止
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):283A
- Current - Collector Pulsed (Icm):600A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):1.85V @ 15V,200A
- 功率 - 最大值:682W
- Switching Energy:13mJ (開), 11mJ (關)
- 輸入類型:標準
- Gate Charge:1180nC
- 25°C 時 Td(開/關)值:50ns/560ns
- Test Condition:400V, 200A, 1 歐姆, 15V
- 反向恢復時間 (trr):-
- 封裝/外殼:TO-247-3
- 安裝類型:通孔
- 供應商器件封裝:*
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