APT18M80B 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Microsemi美高森美完整型號(hào):APT18M80B
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
- 系列:POWER MOS 8?
- FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss):800V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):19A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):530 毫歐 @ 9A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):120nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):3760pF @ 25V
- 功率 - 最大值:500W
- 安裝類(lèi)型:通孔
- 封裝/外殼:TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B]
- APT18M80B優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Microsemi代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)