- 制造廠商:美高森美
- 類別封裝:單路IGBT,TO-264
- 技術參數:IGBT 600V 183A 780W TO264
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APT102GA60L 技術參數詳情:
- Microsemi美高森美完整型號:APT102GA60L
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:IGBT 600V 183A 780W TO264
- 系列:-
- IGBT 類型:PT
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):183A
- Current - Collector Pulsed (Icm):307A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.5V @ 15V,62A
- 功率 - 最大值:780W
- Switching Energy:1.354mJ (開), 1.614mJ (關)
- 輸入類型:標準
- Gate Charge:294nC
- 25°C 時 Td(開/關)值:28ns/212ns
- Test Condition:400V, 62A, 4.7 歐姆, 15V
- 反向恢復時間 (trr):-
- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA
- 安裝類型:通孔
- 供應商器件封裝:TO-264 [L]
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