產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單路IGBT，原廠封裝
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 229A 625W TMAX
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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APT100GN60B2G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APT100GN60B2G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 600V 229A 625W TMAX
- 系列：-
- IGBT 類型：溝道和場截止
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：229A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：300A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：1.85V @ 15V，100A
- 功率 - 最大值：625W
- Switching Energy：4.7mJ （開）, 2.675mJ （關(guān)）
- 輸入類型：標準
- Gate Charge：600nC
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：31ns/310ns
- Test Condition：400V, 100A, 1 歐姆, 15V
- 反向恢復時間 (trr)：-
- 封裝/外殼：TO-247-3 變式
- 安裝類型：通孔
- 供應商器件封裝：*
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