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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單二極管整流器，B
- 技術參數：DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
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1N5809US 技術參數詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：1N5809US
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
- 系列：-
- 二極管類型：標準
- 電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100V
- 電流 - 平均整流 (Io)：3A
- 不同 If 時的電壓 - 正向 (Vf)：875mV @ 4A
- 速度：快速恢復 = 200mA（Io）
- 反向恢復時間 (trr)：30ns
- 不同 Vr 時的電流 - 反向漏電流：5μA @ 100V
- 不同 Vr、F 時的電容：60pF @ 10V，1MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SQ-MELF， B
- 供應商器件封裝：B， SQ-MELF
- 工作溫度 - 結：-65°C ~ 175°C
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