1N5619 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Microsemi美高森美完整型號(hào):1N5619
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
- 系列:-
- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn)
- 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600V
- 電流 - 平均整流 (Io):1A
- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向 (Vf):1.6V @ 3A
- 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io)
- 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):250ns
- 不同 Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V
- 不同 Vr、F 時(shí)的電容:25pF @ 12V,1MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:A,軸向
- 供應(yīng)商器件封裝:*
- 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C
- 1N5619優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)Microsemi代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購IC芯片,是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)