1N5618US 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Microsemi美高森美完整型號:1N5618US
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
- 系列:-
- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn)
- 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600V
- 電流 - 平均整流 (Io):1A
- 不同 If 時的電壓 - 正向 (Vf):1.3V @ 3A
- 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
- 反向恢復(fù)時間 (trr):2μs
- 不同 Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V
- 不同 Vr、F 時的電容:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SQ-MELF, A
- 供應(yīng)商器件封裝:D-5A
- 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C
- 1N5618US優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)Microsemi代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購IC芯片,是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺