產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：單齊納二極管，DO-213AA
- 技術(shù)參數(shù)：DIODE ZENER 56V 10W DO213AA
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購平臺
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1N2999RB 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：1N2999RB
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：DIODE ZENER 56V 10W DO213AA
- 系列：-
- 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）(Vz)：56V
- 容差：±5%
- 功率 - 最大值：10W
- 阻抗（最大值）(Zzt)：16 歐姆
- 不同 Vr 時的電流 - 反向漏電流：10μA @ 42.6V
- 不同 If 時的電壓 - 正向 (Vf)：1.5V @ 2A
- 工作溫度：-65°C ~ 175°C
- 安裝類型：底座，接線柱安裝
- 封裝/外殼：DO-203AA，DO-4，接線柱
- 供應(yīng)商器件封裝：DO-213AA
- 1N2999RB優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺。
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