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- 制造廠商：美光
- 類別封裝：存儲器，產品封裝：132-VBGA
- 技術參數：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
- 豐富的美光公司產品，美光芯片采購平臺
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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
- 產品系列：存儲器
- 包裝：卷帶（TR）
- 系列：-
- 零件狀態：有源
- 存儲器類型：非易失
- 存儲器格式：閃存
- 技術：閃存 - NAND
- 存儲容量：512Gb（64G x 8）
- 存儲器接口：并聯
- 時鐘頻率：333MHz
- 寫周期時間-字，頁：-
- 訪問時間：-
- 電壓-供電：2.5V ~ 3.6V
- 工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產品封裝：132-VBGA
- MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR優勢代理貨源，國內領先的美光芯片采購服務平臺。
