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Microchip
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APTM120H29FG 圖片
  • 制造廠商:Microchip(微芯科技)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:SP6
  • 技術參數:MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
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APTM120H29FG 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:APTM120H29FG
  • 制造商:Microchip Technology(微芯科技)
  • 描述:MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:POWER MOS 7?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:4 個 N 通道(H 橋)
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):34A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):348 毫歐 @ 17A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):374nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):10300pF @ 25V
  • 功率-最大值:780W
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:SP6
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