產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Microchip（微芯科技）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：SP3
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
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APTM100H46FT3G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：APTM100H46FT3G
- 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
- 描述：MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：POWER MOS 8?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：4 個 N 通道（H 橋）
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：1000V（1kV）
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：19A
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：552 毫歐 @ 16A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：260nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：6800pF @ 25V
- 功率-最大值：357W
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：SP3
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