產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Littelfuse（力特半導體）
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：模塊
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3
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MG12150D-BA1MM 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MG12150D-BA1MM
- 制造商：Littelfuse（力特半導體）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 配置：半橋
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：210A
- 功率-最大值：1100W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，150A（標準）
- 電流-集電極截止（最大值）：1mA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：11nF @ 25V
- 輸入：標準
- NTC熱敏電阻：無
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：模塊
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