產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，PG-TO252-3
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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SPD09P06PL G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：SPD09P06PL G
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
- 系列：SIPMOS
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：9.7A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：250 毫歐 @ 6.8A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：21nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：450pF @ 25V
- 功率 - 最大值：42W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
- SPD09P06PL G優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺。
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