產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，PG-TO263-2
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺
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SPB18P06P G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：SPB18P06P G
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
- 系列：SIPMOS
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：18.7A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：130 毫歐 @ 13.2A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：28nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：860pF @ 25V
- 功率 - 最大值：81.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-2
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