產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：-
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V D2PAK
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SIHB33N60E-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SIHB33N60E-GE3
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 600V D2PAK
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：*
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：-
- 技術(shù)：-
- 漏源電壓（Vdss）：-
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：-
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：-
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作溫度：-
- 安裝類型：-
- 器件封裝：-
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