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- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：單二極管整流器，帶箔切割晶片
- 技術參數：DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
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SIDC81D120E6 技術參數詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：SIDC81D120E6
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
- 系列：-
- 二極管類型：標準
- 電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200V（1.2kV）
- 電流 - 平均整流 (Io)：100A（DC）
- 不同 If 時的電壓 - 正向 (Vf)：1.9V @ 100A
- 速度：標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢復時間 (trr)：-
- 不同 Vr 時的電流 - 反向漏電流：27μA @ 1200V
- 不同 Vr、F 時的電容：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：晶片
- 供應商器件封裝：帶箔切割晶片
- 工作溫度 - 結：-55°C ~ 150°C
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