- 制造廠商:英飛凌
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 11A 63W D2PAK
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品,英飛凌芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價格
IRGS4B60KD1TRRP 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:IRGS4B60KD1TRRP
- 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
- 描述:IGBT 600V 11A 63W D2PAK
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- IGBT類型:NPT
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):11A
- 電流-集電極脈沖(Icm):22A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,4A
- 功率-最大值:63W
- 開關(guān)能量:73μJ(開),47μJ(關(guān))
- 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷:12nC
- 25°C時Td(開/關(guān))值:22ns/100ns
- 測試條件:400V,4A,100 歐姆,15V
- 反向恢復(fù)時間(trr):93ns
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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