- 制造廠商:英飛凌
- 類(lèi)別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 650V 140A TO247AD
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品,英飛凌芯片采購(gòu)平臺(tái)
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IRGP4790D-EPBF 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):IRGP4790D-EPBF
- 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
- 描述:IGBT 650V 140A TO247AD
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- IGBT類(lèi)型:-
- 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):140A
- 電流-集電極脈沖(Icm):225A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,75A
- 功率-最大值:455W
- 開(kāi)關(guān)能量:2.5mJ(開(kāi)),2.2mJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷:210nC
- 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:50ns/200ns
- 測(cè)試條件:400V,75A,10 歐姆,15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):170ns
- 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:通孔
- 封裝:TO-247-3
- IRGP4790D-EPBF優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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