- 制造廠商:英飛凌
- 類別封裝:單端場效應(yīng)管,PG-TO247-3
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品,英飛凌芯片采購平臺
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IPW60R165CP 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Infineon英飛凌公司完整型號:IPW60R165CP
- 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
- 系列:CoolMOS?
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標準
- 漏源極電壓 (Vdss):600V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):21A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):165 毫歐 @ 12A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 790μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):52nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2000pF @ 100V
- 功率 - 最大值:192W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3
- IPW60R165CP優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺。
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