- 制造廠商:英飛凌
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:PG-TO251-3
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
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IPS70R1K4P7SAKMA1 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:IPS70R1K4P7SAKMA1
- 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
- 描述:MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列:CoolMOS? P7
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:N 通道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):700V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):4A(Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):1.4 歐姆@ 700mA,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.5V @ 40μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):4.7nC @ 10V
- Vgs(最大值):±16V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):158pF @ 400V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):22.7W(Tc)
- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 器件封裝:PG-TO251-3
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