- 制造廠商:英飛凌
- 類別封裝:單端場效應管,PG-TO220-3
- 技術參數(shù):MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品,英飛凌芯片采購平臺
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IPP80N06S2L-H5 技術參數(shù)詳情:
- Infineon英飛凌公司完整型號:IPP80N06S2L-H5
- 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- 系列:OptiMOS?
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):55V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):80A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):5 毫歐 @ 80A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):190nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5000pF @ 25V
- 功率 - 最大值:300W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商器件封裝:PG-TO220-3
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