- 制造廠商:英飛凌
- 類別封裝:單端場效應管,TO-220-3
- 技術參數(shù):MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品,英飛凌芯片采購平臺
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IPP50R190CE 技術參數(shù)詳情:
- Infineon英飛凌公司完整型號:IPP50R190CE
- 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
- 描述:MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220
- 系列:CoolMOS CE
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標準
- 漏源極電壓 (Vdss):500V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):18.5A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):190 毫歐 @ 6.2A, 13V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 510μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):6.1nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1137pF @ 100V
- 功率 - 最大值:32W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商器件封裝:TO-220-3
- IPP50R190CE優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領先的英飛凌芯片采購服務平臺。
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