產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：PG-SOT223
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺
- 提供當日發(fā)貨、嚴格的質(zhì)量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術(shù)文檔
IPN60R2K1CEATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IPN60R2K1CEATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：CoolMOS?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：600V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3.7A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：2.1 歐姆 @ 800mA，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 60μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：6.7nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：140pF @ 100V
- FET功能：超級結(jié)
- 功率耗散（最大值）：5W（Tc）
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PG-SOT223
- IPN60R2K1CEATMA1優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)Infineon代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺