產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：單端場效應管，PG-TO262-3
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺
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IPI041N12N3 G 技術參數(shù)詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：IPI041N12N3 G
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
- 系列：OptiMOS?
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：120V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：120A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.1 毫歐 @ 100A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：211nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：13800pF @ 60V
- 功率 - 最大值：300W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應商器件封裝：PG-TO262-3
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