- 制造廠商:英飛凌
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerVDFN
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品,英飛凌芯片采購(gòu)平臺(tái)
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IPG20N04S408ATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):IPG20N04S408ATMA1
- 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
- 描述:MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:OptiMOS?
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:2 N-通道(雙)
- FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓(Vdss):40V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):20A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):7.6 毫歐 @ 17A,10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4V @ 30μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):36nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):2940pF @ 25V
- 功率-最大值:65W
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:8-PowerVDFN
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