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Infineon
熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
IPD110N12N3GATMA1 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:PG-TO252-3
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
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IPD110N12N3GATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IPD110N12N3GATMA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:OptiMOS?
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):120V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):75A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):11 毫歐 @ 75A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 83μA(標準)
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):65nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):4310pF @ 60V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):136W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PG-TO252-3
  • IPD110N12N3GATMA1優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務平臺。
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