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芯片采購,IC采購,芯片采購平臺(tái)
Infineon
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
IPB80N06S2L-07 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:單端場效應(yīng)管,PG-TO263-3
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品,英飛凌芯片采購平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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IPB80N06S2L-07 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPB80N06S2L-07
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):6.7 毫歐 @ 60A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 150μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):130nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):3160pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:210W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3
  • IPB80N06S2L-07優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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