- 制造廠商:英飛凌
- 類別封裝:單端場效應管,PG-TO263-3-2
- 技術參數:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
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IPB80N04S4L-04 技術參數詳情:
- Infineon英飛凌公司完整型號:IPB80N04S4L-04
- 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
- 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
- 系列:OptiMOS?
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):40V
- 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):80A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4 毫歐 @ 80A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 35μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):60nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4690pF @ 25V
- 功率 - 最大值:71W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商器件封裝:PG-TO263-3-2
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